一種具有
石墨烯透明電極的碳化硅雪崩光電探測(cè)器,涉及半導(dǎo)體光電探測(cè)器。設(shè)有襯底,在襯底上依次設(shè)有同質(zhì)的第一N型外延緩沖層、N?型外延吸收層、第二N型外延倍增層和P+型歐姆接觸層;在P+型歐姆接觸層表面通過(guò)電熱分解法生長(zhǎng)的多層石墨烯透明電極層,采用光刻掩膜技術(shù)和ICP刻蝕工藝刻蝕一高度從石墨烯層表面到第一N型外延緩沖層表面,使得P+型歐姆接觸層、第二N型外延倍增層和N?型外延吸收層為圓臺(tái),通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)一致密的SiOx/Si3N4保護(hù)鈍化層。在N+型襯底的背面濺射N型歐姆接觸電極,并在SiOx/Si3N4保護(hù)鈍化層上通過(guò)光刻工藝刻蝕出焊盤窗口并制備石墨烯透明電極層的焊盤。
聲明:
“具有石墨烯透明電極的碳化硅雪崩光電探測(cè)器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)