本發(fā)明公開(kāi)了用于監(jiān)測(cè)集成電路(IC)器件中的銅腐蝕的系統(tǒng)和方法。形成于IC器件中的腐蝕敏感結(jié)構(gòu)可以包括與n型有源區(qū)相鄰的p型有源區(qū)，以限定p?n結(jié)空間電荷區(qū)。在硅上方形成的銅區(qū)可通過(guò)相應(yīng)觸點(diǎn)連接至p區(qū)和n區(qū)兩者，從而限定短路。例如，在CMP工藝期間入射在p?n結(jié)空間電荷區(qū)上的光經(jīng)由短路產(chǎn)生流過(guò)金屬區(qū)的電流，這驅(qū)動(dòng)引起銅區(qū)腐蝕的化學(xué)反應(yīng)。由于短路配置，銅區(qū)對(duì)腐蝕高度敏感。腐蝕敏感結(jié)構(gòu)可被布置為在IC器件中具有較少的腐蝕敏感銅結(jié)構(gòu)，其中腐蝕敏感結(jié)構(gòu)用作監(jiān)測(cè)IC器件中銅腐蝕的代理。