基區(qū)漸變的單向載流子傳輸?shù)碾p異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測器屬于半導(dǎo)體光電子技術(shù)領(lǐng)域,是一種可同時實現(xiàn)高響應(yīng)度、高截止頻率的光敏晶體管(UTC-DHPT)探測器。本發(fā)明包括:一InP襯底,利用金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)方法在InP襯底上依次制備出InP緩沖層、InGaAsP次集電區(qū)、InGaAsP集電區(qū)、兩層不同材料帶隙波長的InGaAsP過渡層、材料帶隙波長漸變的InGaAsP基區(qū)、InP發(fā)射區(qū)、InP蓋層、InGaAs歐姆接觸層;一發(fā)射極,采用濺射的方法制作在InGaAs歐姆接觸層上;一基極,采用濺射的方法制作在InGaAsP基區(qū)之上;一集電極,采用蒸鍍的方法制作在InP襯底上。
聲明:
“基區(qū)漸變的單向載流子傳輸?shù)碾p異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)