本發(fā)明公開了一種大規(guī)模小像元銦鎵砷焦平面探測器制備方法,具體步驟如下:1)淀積氮化硅擴散掩膜,2)開擴散窗口,3)閉管擴散,4)生長P電極,5)快速熱退火,6)開N槽,7)淀積氮化硅鈍化膜,8)開P、N電極孔,9)生長加厚電極,10)金屬化,11)生長銦柱。本發(fā)明的優(yōu)點在于:1、制備工藝更簡單,首先生長P區(qū)電極的工藝方法,降低光刻偏差和過刻蝕可能導致的P區(qū)電極與N區(qū)InP材料之間的導通風險;2、引入感應耦合等離子體化學氣相沉積(ICPCVD)技術生長低溫氮化硅鈍化膜,
芯片的表面鈍化層結構致密,降低工藝過程對材料表面造成的損傷,改善表面鈍化效果;3、金屬化區(qū)域和銦柱區(qū)域一體化光刻生長技術,降低器件的接觸電阻。
聲明:
“大規(guī)模小像元銦鎵砷焦平面探測器制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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