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銻摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備方法

706   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:29:13
本發(fā)明涉及一種銻摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備方法,所得載體材料適于無標(biāo)記電學(xué)檢測技術(shù)的基因芯片。通過使用銻摻雜氧化錫濺射靶材,利用磁控濺射法在普通玻片上制備出銻摻雜氧化錫薄膜,然后對薄膜進行羥基化、氨基硅烷化、醛基化修飾,制得醛基修飾的基因芯片用銻摻雜氧化錫薄膜載體材料。采用本發(fā)明制備的載體材料具有表面平坦致密、厚度均勻、活性基團密度高、親水性能好、化學(xué)穩(wěn)定性高、電阻率低等特性,可以實現(xiàn)對生物信號的高靈敏度、高可靠性和強特異性無標(biāo)記電學(xué)檢測、識別與分析,非常適用于作為無標(biāo)記電學(xué)檢測技術(shù)的基因芯片載體材料。本發(fā)明還具有制備工藝簡單易行,成本低廉,易于實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)的特點。
聲明:
“銻摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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