在光刻處理中,諸如半導(dǎo)體晶片的產(chǎn)品單元經(jīng)歷光刻圖案化操作和化學(xué)和物理處理操作。在處理的執(zhí)行過程中在各階段形成對(duì)準(zhǔn)數(shù)據(jù)或其它測(cè)量以獲得對(duì)象數(shù)據(jù),所述對(duì)象數(shù)據(jù)代表在跨每一個(gè)晶片空間分布的點(diǎn)處測(cè)量的位置偏差或其它參數(shù)。該對(duì)象數(shù)據(jù)被用于通過執(zhí)行多變量分析以將代表在所述多維空間中的晶片的所述矢量組分解為一個(gè)或多個(gè)分量矢量而獲得診斷信息。關(guān)于工業(yè)過程的診斷信息使用所述分量矢量被提取。對(duì)于后續(xù)產(chǎn)品單元的工業(yè)過程的性能可以基于所提取的診斷信息被控制。
聲明:
“用于獲得與工業(yè)過程有關(guān)的診斷信息的方法和設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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