本發(fā)明公開了一種基于HIPIMS技術(shù)的CrAlN涂層的制備方法,本發(fā)明采用高功率脈沖磁控濺射技術(shù)(High?Power?Impulse?Magnetron?Sputtering,HIPIMS),使用高能脈沖靶(High?pulse?power?cathode)和雙極脈沖靶(Bipolar?pulsed?sputtering?cathodes)共濺射的方式,沉積(H+B)CrAlN涂層;同時(shí)采用第四代電弧離子鍍技術(shù)(ARC?evaporators)沉積ARC?CrAlN涂層。通過劃痕試驗(yàn)、X射線衍射、微觀形貌觀察、
電化學(xué)腐蝕測試等分析涂層各方面的性能后發(fā)現(xiàn),共濺射制備的(H+B)CrAlN涂層膜基結(jié)合力更強(qiáng),臨界載荷最高可達(dá)到62.4N;其表面晶粒更細(xì)小,缺陷少,斷面組織致密;同時(shí)(H+B)方法制備的CrAlN涂層高溫抗氧化性最佳;在涂層耐腐蝕性能方面共濺射制備的涂層比電弧離子鍍制備的涂層更耐蝕。
聲明:
“基于HIPIMS技術(shù)的CrAlN涂層制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)