本發(fā)明提供了一種基于V型腔陣列表面的可控電鍍法在制備高靈敏SERS基底中的應(yīng)用,包括:1)制備電鍍模板,采用V型腔體結(jié)構(gòu)的AAO模板,以固定角度及恒定速率蒸鍍10nm鉻和120nm銀,形成一層緊密結(jié)合的AAO銀膜電鍍層;2)制備電鍍液,配制3.3mM氯金酸和0.1M氫氟酸的混合液;3)
電化學(xué)可控組裝,采用三電極的電化學(xué)工作站,電鍍模板作為工作電極,鉑片電極作為對(duì)電極,Ag/AgCl2作為參比電極,在0.1mA/cm2的恒電流密度下進(jìn)行沉積生長(zhǎng)并記錄。本發(fā)明中的金納米粒子在V型腔陣列表面可實(shí)現(xiàn)定向可控沉積,且獲得的高靈敏SERS基底可達(dá)到單分子檢測(cè)水平,對(duì)R6G的檢測(cè)限可低至10?18M。
聲明:
“基于V型腔陣列表面的可控電鍍法在制備高靈敏SERS基底中的應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)