本發(fā)明涉及ZnO納米墻/RGO異質(zhì)結(jié)氣敏傳感器及其制備方法。現(xiàn)有技術(shù)中存在因ZnO與
石墨烯接觸差而導(dǎo)致的傳感器工作溫度高、響應(yīng)-恢復(fù)時間長的問題。本發(fā)明采用真空抽濾結(jié)合熱還原法在Ag叉指電極上制備還原石墨烯薄膜;然后在還原石墨烯薄膜表面利用水溶液法原位生長單晶ZnO納米墻;最后將構(gòu)筑好的ZnO納米墻/RGO異質(zhì)結(jié)在Ar氣氛下高溫?zé)崽幚?,獲得ZnO納米墻/RGO異質(zhì)結(jié)氣敏傳感器。本發(fā)明的ZnO納米墻/RGO異質(zhì)結(jié),ZnO?納米墻原位生長在RGO薄膜上,實(shí)現(xiàn)了共價鍵或化學(xué)鍵強(qiáng)作用力連接,既可以發(fā)揮ZnO納米墻在高靈敏度檢測方面獨(dú)特的優(yōu)勢,又可以利用石墨烯做為端電極提高電子傳輸速率。
聲明:
“ZnO納米墻/RGO異質(zhì)結(jié)氣敏傳感器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)