本發(fā)明公開了一種晶圓工藝條件的控制系統(tǒng)及控制方法,根據(jù)在化學(xué)氣相沉積工藝的時(shí)間和溫度等條件一定的情況下,晶圓表面沉積薄膜的厚度與其對應(yīng)的光罩透光率呈線性負(fù)相關(guān),先統(tǒng)計(jì)分析同一批次晶圓對應(yīng)的光罩透光率范圍,再針對每個(gè)晶圓,根據(jù)晶圓對應(yīng)的光罩透光率在整個(gè)光罩透光率范圍中所處的位置確定調(diào)整所述晶圓的工藝時(shí)間和工藝溫度:若所述光罩透光率越大,則所述晶圓的化學(xué)沉積時(shí)間越長,或者所述晶圓的化學(xué)沉積溫度越高。如此,能最大限度度地對化學(xué)氣相沉積工藝中同一批次晶圓的表面沉積薄膜的厚度進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)節(jié),使得化學(xué)氣相沉積工藝中同一批次的多個(gè)晶圓的表面沉積薄膜的厚度一致。
聲明:
“晶圓工藝條件的控制系統(tǒng)及控制方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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