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2.5-10um譜段高透低應力薄膜及其制備方法

819   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:45:48
本發(fā)明公開一種2.5-10um譜段高透低應力薄膜,所述薄膜為鍍制在多光譜硫化鋅表面的HfON薄膜,所述薄膜制備方法為:一、對多光譜硫化鋅基片分別采用去離子水沖洗、分析純丙酮超聲清洗和分析純無水乙醇超聲清洗,然后將基片表面擦凈;二、在真空室內(nèi)安裝鉿靶,然后安裝多光譜硫化鋅基片,鉿靶和多光譜硫化鋅基片之間設置擋板;三、將真空室抽真空至3.0×10-3~5.0×10-3Pa,并將基片加熱到150~200℃;四、利用等離子體轟擊清洗鉿靶10~15分鐘;五、離子轟擊清洗鉿靶后,打開擋板,采用離子束反應技術(shù),并通入氮氣和氧氣,制備HfON薄膜。本發(fā)明為基底材料提供良好的物理、化學及紅外光學性能的保護薄膜。
聲明:
“2.5-10um譜段高透低應力薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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