本發(fā)明公開(kāi)了一種調(diào)制InGaN/GaN異質(zhì)結(jié)薄膜內(nèi)部極化的方法，涉及半導(dǎo)體壓電光電子學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積方法制備包括InGaN/GaN異質(zhì)結(jié)薄膜的外延基片，通過(guò)電化學(xué)腐蝕方法把InGaN/GaN異質(zhì)結(jié)薄膜從藍(lán)寶石襯底上剝離下來(lái)，再通過(guò)物理轉(zhuǎn)移辦法將InGaN/GaN異質(zhì)結(jié)薄膜轉(zhuǎn)移到柔性襯底PET上，最后通過(guò)搜集光致發(fā)光光譜的檢測(cè)方法證明了通過(guò)手動(dòng)3D位移平臺(tái)對(duì)InGaN/GaN異質(zhì)薄膜施加的應(yīng)力確實(shí)改善了薄膜內(nèi)部的極化。應(yīng)用本發(fā)明，不僅解決了InGaN/GaN多量子阱中極化所導(dǎo)致的載流子復(fù)合效率降低的問(wèn)題，還具有制造工藝簡(jiǎn)單且調(diào)制效果較好。