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Ti/Si共摻雜ta-C導(dǎo)電碳基薄膜及其制備方法和應(yīng)用

1100   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:54:07
本發(fā)明屬于薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域,涉及碳基薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種Ti/Si共摻雜ta?C導(dǎo)電碳基薄膜及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明的Ti/Si共摻雜ta?C導(dǎo)電薄膜由Ti過渡層、Ti梯度含量摻雜ta?C過渡層和Ti/Si共摻雜的ta?C層組成,薄膜中的Ti摻雜含量為12.4~32.6at.%,Si摻雜含量為3.0~8.5at.%。所述薄膜采用磁過濾電弧離子鍍和磁控濺射復(fù)合沉積技術(shù)在金屬基體上沉積制得。本發(fā)明的Ti/Si共摻雜ta?C薄膜具有高sp3碳?碳鍵含量、低殘余內(nèi)應(yīng)力和高導(dǎo)電性,可應(yīng)用于電化學(xué)有機污水處理薄膜電極、燃料電池金屬雙極板和電化學(xué)重金屬離子檢測薄膜電極等領(lǐng)域。
聲明:
“Ti/Si共摻雜ta-C導(dǎo)電碳基薄膜及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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