本發(fā)明提供一種重離子輻照影響β?Ga2O3MOSFET器件
電化學(xué)性能的方法,包括:將外延層中摻雜施主Si元素的β?Ga2O3在室溫條件下進(jìn)行不同注量的重離子輻照;檢測(cè)重離子輻照前后β?Ga2O3外延晶片的單斜結(jié)構(gòu)、彎曲振動(dòng)、拉伸模式光學(xué)性質(zhì)和化學(xué)結(jié)合狀態(tài);對(duì)步驟S2中得到的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行總結(jié),得出重離子輻照β?Ga2O3外延晶片后產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷;將步驟S3中產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷引入β?Ga2O3MOSFET模型中,輸出模擬電學(xué)性能曲線。本發(fā)明通過(guò)將β?Ga2O3外延晶片的輻照研究與β?Ga2O3MOSFET器件的模擬研究進(jìn)行結(jié)合,對(duì)β?Ga2O3MOSFET器件抗輻射機(jī)理研究產(chǎn)生了顯著的效果。
聲明:
“重離子輻照影響β-Ga2O3 MOSFET器件電學(xué)性能的模擬方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)