本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置。在使用氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置中提高電特性,并且提供一種電特性變動少且可靠性高的半導(dǎo)體裝置。一種半導(dǎo)體裝置,包括:進行熱脫附譜分析時的400℃以上的任意溫度下的氫分子的脫離量為300℃下的氫分子的脫離量的130%以下的第一絕緣膜;第一絕緣膜上的第一阻擋膜;第一阻擋膜上的具有包含超過化學計量組成的氧的區(qū)域的第二絕緣膜;以及第二絕緣膜上的包括第一氧化物半導(dǎo)體膜的第一晶體管。
聲明:
“半導(dǎo)體裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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