厘米級長度的銀單晶納米線陣列的制備方法,屬 于
納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明選用裸玻璃光纖為基底,用 真空熱蒸鍍方法在裸玻璃光纖一側(cè)沉積兩片銀膜分別作為陰 極和陽極,在陰極和陽極之間沿光纖軸向沉積 RbAg4I5銀離子導(dǎo)電薄膜,并使其覆蓋陰極和陽極。在真空中, 對陰極和陽極之間施加恒定直流電壓,經(jīng)數(shù)十小時后,陰極邊 緣生長出長度達(dá)厘米量級的銀單晶納米線陣列。該方法在全固 態(tài)環(huán)境且無任何模板的條件下實現(xiàn),操作簡單,陣列長度由通 電時間控制,陣列中的銀納米線彼此平行排列,且該陣列易于 從基底分離,可作為導(dǎo)線或器件應(yīng)用于宏觀尺度的電子學(xué)、光 電子學(xué)領(lǐng)域中,或直接作為表面增強拉曼散射基底用于化學(xué)分 析領(lǐng)域中。
聲明:
“厘米級長度的銀單晶納米線陣列的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)