本發(fā)明公開了一種氮、硼共摻雜
石墨烯復(fù)合薄膜及其制備方法,屬于透明導(dǎo)電薄膜材料領(lǐng)域。提供的氮、硼共摻雜石墨烯復(fù)合薄膜的制備方法包括在CVD法制備石墨烯薄膜時(shí)第一次摻雜適量氮硼和在將氮、硼共摻雜石墨烯引入目標(biāo)基體時(shí)的第二次摻雜過程,兩次摻雜工藝簡單,摻雜劑摻雜穩(wěn)定,使得制備得到的氮、硼共摻雜石墨烯復(fù)合薄膜不僅具有較小的厚度,還具有較低的方阻,可以直接應(yīng)用于高性能
復(fù)合材料、柔性顯示與柔性電子器件、
電化學(xué)儲(chǔ)能、光電檢測與傳感器等領(lǐng)域。
聲明:
“氮、硼共摻雜石墨烯復(fù)合薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)