本發(fā)明屬于氣體傳感器技術領域，具體為一種室溫下NH3氣敏傳感器件及其制備方法。本發(fā)明制備方法是使用物理或者化學刻蝕的方法，在一定厚度的、電阻率為1-10Ω·cm的p型單晶硅片表面形成尺度為1-10μm的準周期性微結構，并在真空中對微結構表面進行熱蒸發(fā)或者磁控濺射鍍膜，形成金屬電極，制成氨敏傳感器件。該器件材料制備簡單，成本低廉，克服了普通氨敏傳感器工作溫度高，響應及恢復速度較慢等缺點，在室溫下對ppm級氨氣具有極快的響應時間和恢復時間，同時具有較高靈敏度和選擇性，在NH3檢測傳感領域具有廣闊應用前景。