本發(fā)明提供了一種復合陣列電極,包括微電極陣列基體,以及形成在所述微電極陣列基體的微電極表面的修飾層,所述修飾層包括多個間隔設置在所述微電極表面的導電層,所述微電極表面上,所述導電層以外的區(qū)域設置絕緣層,所述導電層的材質(zhì)包括納米鉑、納米銥、導電聚合物和
碳納米管等中的一種或多種。該復合陣列電極有效消除的邊緣效應的影響,整個所述復合陣列電極的微電極表面電場分布均勻,顯著提高了電極的
電化學性能和電極的檢測能力水平。本發(fā)明還提供了復合陣列電極的制備方法和應用。
聲明:
“復合陣列電極及其制備方法和應用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)