本發(fā)明屬于化工材料技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種硅片基硫化鉍納米花陣列的制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明方法包括:通過簡(jiǎn)單的水熱法即可在硅片基底上進(jìn)行硫化鉍納米花陣列的組裝,經(jīng)過充分和烘干處理得到硅片基硫化鉍陣列結(jié)構(gòu)。硅片上生長的硫化鉍納米花晶體,形貌均一,尺寸約為800nm,化學(xué)式為Bi
2S
3,本發(fā)明工藝簡(jiǎn)便、具有普適性,可以制備其他硫化物。制得的硫化鉍納米花陣列,在光電檢測(cè)器和場(chǎng)發(fā)射等領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用前景。
聲明:
“硅片基硫化鉍納米花陣列的半導(dǎo)體光電材料的制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)