本發(fā)明提出一種Bi2OxSe納米片，是垂直生長于基底上的納米片，納米片的厚度為10～100nm，0＜x＜2。本發(fā)明還提出所述Bi2OxSe納米片的制備方法和應用。本發(fā)明通過化學氣相沉積法，在基底上制備得到垂直基底生長的Bi2OxSe納米片。所述方法合成步驟簡單、成本低；制備得到的Bi2OxSe納米片結晶性好，化學穩(wěn)定性好，其厚度為10～100nm，橫向尺寸為1～50μm，應用于近紅外光電探測有非常好的性能，響應度可達14.1A/W，響應時間可達2.7ms，探測率可達4.7×1011Jones。