一種單溫區(qū)開管擴(kuò)鎵生產(chǎn)晶閘管方法,屬于電力 半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工藝。在單溫區(qū)擴(kuò)散爐里對(duì)經(jīng)高溫 氧化后的硅片進(jìn)行開管擴(kuò)鎵。擴(kuò)散時(shí)利用干H2從 固態(tài)Ga2O3里通過化學(xué)反應(yīng)攜帶出元素鎵,憑借著 對(duì)源溫、片溫、H2氣體流量、摻雜時(shí)間的控制,使硅片 一次完成摻雜元素鎵。本工藝使用設(shè)備簡(jiǎn)單,操作方 便;擴(kuò)散參數(shù)可控、可調(diào)、可檢;抗玷污能力強(qiáng),便于推 廣。用于晶閘管的生產(chǎn)中,可大幅度提高該類產(chǎn)品的 等級(jí)合格率和動(dòng)態(tài)特性。
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“單溫區(qū)開管擴(kuò)鎵生產(chǎn)晶閘管工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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