本發(fā)明提供原位合成銅納米線陣列材料及其制備方法和應(yīng)用,將氧化銅納米線陣列置于分離的兩室反應(yīng)電解池中,在空氣氛圍下,以氧化銅納米線陣列為工作電極,汞/氧化汞為參比電極,鉑片為對電極,電解溶液為0.5M K
2CO
3的乙腈和氘代水的混合溶液,其中,乙腈的體積占混合溶液總體積的30?70%,氘代水的體積占混合溶液總體積的30?70%,在掃描速度為8?12mV/s,掃描電壓為?0.4~?1.4V的范圍內(nèi)進(jìn)行循環(huán)伏安測試,直至氧化銅的還原峰消失,即得到原位合成銅納米線陣列材料。本發(fā)明通過原位轉(zhuǎn)化的方法合成了銅納米線陣列(Cu NWAs)材料,以銅納米線陣列(Cu NWAs)材料為
電化學(xué)反應(yīng)的陰極,利用一種簡便的電化學(xué)還原方法以氘代水為氘源實(shí)現(xiàn)了C?X/C?D的高效轉(zhuǎn)化。
聲明:
“原位合成銅納米線陣列材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)