本發(fā)明公開了一種精確控制線寬的淺槽隔離工藝,該方法包括如下步驟:第1步,在硅片表面涂光刻膠,曝光顯影后露出刻蝕窗口;第2步,測量刻蝕窗口之間的線寬;第3步,在刻蝕窗口刻蝕氮化硅、氧化硅和部分硅;第4步,干法等離子體去除光刻膠;第5步,濕法化學(xué)剝離光刻膠;第6步,測量淺槽隔離結(jié)構(gòu)之間的線寬;本發(fā)明的創(chuàng)新之處在于,在第3步和第4步之間增加一步:采用各向同性刻蝕工藝在刻蝕窗口刻蝕氮化硅、氧化硅和部分硅。本發(fā)明可以精確控制淺槽隔離工藝的特征尺寸,減少對光刻CD的精度要求,消除光刻返工,從而降低生產(chǎn)成本。
聲明:
“精確控制線寬的淺槽隔離工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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