本申請涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種計算光刻建模方法及裝置,在該方法中,通過獲取測試圖形包含的圖形單元的類型,確定光學(xué)模塊組,然后根據(jù)光學(xué)模塊組,獲取物理光學(xué)模型的參數(shù)。計算光學(xué)模塊組在光刻膠上的理想光強分布,并根據(jù)理想光強分布以及光學(xué)模塊組在所述光刻膠上激發(fā)的光化學(xué)反應(yīng),獲取光化學(xué)模型的參數(shù)。接著模擬測試圖形在所述光刻膠上形成的邊界位置,并獲取所述測試圖形的關(guān)鍵尺寸仿真數(shù)據(jù),若關(guān)鍵尺寸測量數(shù)據(jù)與關(guān)鍵尺寸仿真數(shù)據(jù)之間的擬合誤差不大于預(yù)設(shè)的容許誤差,則建立計算光刻模型。本申請公開的計算光刻建模方法,通過建立不同的光學(xué)模塊對不同的圖形單元進行仿真,有效提高了計算光刻模型的精度。
聲明:
“計算光刻建模方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)