本發(fā)明是有關(guān)于一種形成多層半導(dǎo)體元件的方法,可消除于晶圓驗收測試后所產(chǎn)生的導(dǎo)電性突起物,此方法包括形成一第一導(dǎo)電內(nèi)連線層、進行一晶圓驗收測試制程以及在此導(dǎo)電內(nèi)連線層上進行一化學(xué)機械研磨制程。
聲明:
“形成多層半導(dǎo)體元件的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)