一種黑硅材料表面金屬電極的制備方法,屬于半導(dǎo)體光電子材料與器件技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括:步驟1:化學(xué)鍍前預(yù)處理;步驟2:用化學(xué)鍍工藝在黑硅材料表面沉積一層過渡層;步驟3:干燥;步驟4:用蒸發(fā)或?yàn)R射工藝在過渡層上沉積金屬電極層;步驟5:退火;步驟6:光刻形成電極形狀。本發(fā)明利用化學(xué)鍍的自催化鍍膜原理,在金屬電極與黑硅表面增加了一層化學(xué)鍍層作為過渡層,能夠提高金屬電極與黑硅材料表面的結(jié)合力,降低接觸電阻;本發(fā)明用于基于黑硅材料的硅光電探測(cè)器或
太陽(yáng)能電池,能有效提高器件效率及響應(yīng)速度且制備工藝簡(jiǎn)單、成本較低。
聲明:
“黑硅材料表面金屬電極的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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