本發(fā)明公開了一種
多晶硅片的鈍化處理方法,具有如下步驟:a、將多晶硅片背面拋光;b、將多晶硅片背面用化學(xué)試劑清洗后,淋干水滴;c、低溫處理,在80~90℃的溫度下將硅片烘干,烘干時(shí)間為一小時(shí);d、使用PECVD法對(duì)多晶硅片進(jìn)行等離子
氧化鋁薄膜的沉積,沉積后在硅片表面形成小于2nm厚度的SiO2薄膜層;e、熱處理,將沉積后的多晶硅片在400℃溫度下進(jìn)行退火處理;f、測試,對(duì)多晶硅片進(jìn)行穩(wěn)定狀態(tài)下的少子壽命測試。本發(fā)明通過硅片的前期濕-熱處理,在硅片表面形成了一個(gè)極薄的SiO2薄膜,且這層薄膜中富含水汽所帶來的羥基,為與氧化鋁中的氧原子的結(jié)合提供了很好的化學(xué)結(jié)構(gòu)基礎(chǔ),有效地提升了硅片鈍化效果及穩(wěn)定性。
聲明:
“多晶硅片的鈍化處理方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)