本發(fā)明公開了屬于新型半導(dǎo)體器件和納米電子器件領(lǐng)域的一種基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二極管。采用應(yīng)變SiGe層做空穴量子阱,用Si做空穴勢壘,形成空穴的雙勢壘單量子阱結(jié)構(gòu)。用高摻雜P型Si作襯底,在此樹底上采用化學(xué)氣相淀積方法或分子束外延等方法依次淀積上未摻雜的SiGe層、Si層、SiGe層、Si層、SiGe層及重?fù)诫s的P型Si形成的臺面結(jié)構(gòu),并分別在襯底上和臺面結(jié)構(gòu)上形成的電極。實(shí)驗(yàn)證明在室溫下對樣品進(jìn)行電流電壓特性測試能夠觀察到明顯的微分負(fù)阻現(xiàn)象。制作工藝與當(dāng)前主流的Si半導(dǎo)體平面工藝相兼容,能夠更有效地提高集成電路的集成度。
聲明:
“基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二極管” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)