本發(fā)明提供了一種MEMS器件及制備方法、電子裝置。所述MEMS器件包括:基底;振動(dòng)膜,位于所述基底的上方,其中,所述振動(dòng)膜包括位于外側(cè)的固定區(qū)域和位于中間的振動(dòng)區(qū)域,所述固定區(qū)域中與所述振動(dòng)區(qū)域相連接的部分呈錐形結(jié)構(gòu);背板,位于所述振動(dòng)膜的上方;空腔,位于所述振動(dòng)膜和所述背板之間。所述振動(dòng)膜,不僅僅解決掉落測(cè)試(drop?test)的振動(dòng)膜(VP?poly)破碎的問(wèn)題。同時(shí)把振動(dòng)膜的固定區(qū)域(VP?anchor)安放在到基底上而不是氧化物(oxide)上面,解決BOE刻蝕的間隙底切問(wèn)題(Gap?under?cut?issue),同時(shí)也增大了BOE的工藝窗口,降低了
電化學(xué)效應(yīng)影響(galvanic?effect?impact)。
聲明:
“MEMS器件及制備方法、電子裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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