本發(fā)明涉及一種利用等離子體輔助化學蝕刻技術降低半導體晶片的波紋性的方法。該方法包括在晶片的一個表面上的不連續(xù)點處獨立于其相對表面測量表面輪廓、根據所測得的表面輪廓計算一個停留時間相對于位置的圖以及利用等離子體輔助化學蝕刻技術從晶片的每一個表面上選擇性地去除材料以降低晶片的波紋性。
聲明:
“用于降低半導體晶片中的波紋性的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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