本發(fā)明公開一種超高頻晶片的拋光方法,該方法主要包括以下步驟:(1)頻率測(cè)定;(2)全數(shù)分類;(3)LOT構(gòu)成;(4)中性洗滌劑與超聲波洗凈;(5)超純水超聲波洗凈;(6)干燥;(7)硫酸洗凈;(8)硫酸洗凈后純水洗凈;(9)第一次化學(xué)拋光;(10)第二次化學(xué)拋光;(11)送至下一流程。本發(fā)明使用化學(xué)拋光可以降低晶片破損率,提高晶片的加工頻率,同時(shí)減少了機(jī)器的維護(hù),有效地提高了拋光效率。
聲明:
“超高頻晶片的拋光方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)