本發(fā)明公開了一種構(gòu)織后硅片表面沉積銅及銅氧化物的Cu/CuO@SiNWs光電
復(fù)合材料的制備方法,具體包括以下步驟:將N型平面單晶硅片超聲清洗,將其置于濃強(qiáng)酸與氧化劑的混合溶液中浸漬后去離子水沖洗,再用HF溶液浸漬;將處理后硅片浸入AgNO3和HF的混合溶液中,去離子水沖洗后浸入HF和H2O2的混合溶液中清洗、干燥后完成硅片刻蝕;將SiNWs浸入HF溶液中除去表面氧化膜,用PdCl2溶液活化后進(jìn)行化學(xué)鍍銅,去離子水清洗、干燥;再將獲得的硅?銅復(fù)合材料置于馬弗爐內(nèi)于保護(hù)性混合氣氛(含還原性氣體)中程序升溫焙燒即得復(fù)合光電材料,
電化學(xué)性能測(cè)試表明所獲材料具有較高的PEC分解水性能和穩(wěn)定性。
聲明:
“Cu/CuO@ SiNWs光電復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)