本發(fā)明公開(kāi)了一種MoS2上低維AlN材料制備方法及應(yīng)用,應(yīng)用在光電探測(cè)器領(lǐng)域,通過(guò)化學(xué)氣相沉積法在二氧化硅層制備不同厚度的二維MoS2材料層在電子束蒸發(fā)中,制備不同厚度的Al層正度,采用等離子體化學(xué)氣相沉積法,制備不同厚度的低維ALN材料層生長(zhǎng),所述二維MoS2材料層及低維AlN材料層構(gòu)成高肖特基勢(shì)壘,形成內(nèi)建電場(chǎng)。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)二維MoS2上低維AlN生長(zhǎng),構(gòu)建了結(jié)型異質(zhì)結(jié),表現(xiàn)出自供電效應(yīng)和很高的深紫外光響應(yīng)度、快速響應(yīng)能力。
聲明:
“MoS2上低維AlN材料制備方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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