本發(fā)明公開了一種成分可調(diào)的(Sb1-xBix)2Se3納米線的制備方法,包括:(1)提供表面附著膠體金顆粒的基底以及主要由Sb2Se3粉末和Bi2Se3粉末混合形成的生長源;(2)將所述基底和生長源均置于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)區(qū)域中,且使所述基底設(shè)置于所述生長源下游,而后將所述反應(yīng)區(qū)域密封;(3)排除所述反應(yīng)區(qū)域內(nèi)的氧氣,再輸入稀有氣體作為載氣,并將所述反應(yīng)區(qū)域的氣壓均維持在設(shè)定范圍,且調(diào)整反應(yīng)溫度至設(shè)定值,直至反應(yīng)完成,而后冷卻至室溫,獲得(Sb1-xBix)2Se3納米線,其中x=0~0.88。本發(fā)明利用簡單的化學(xué)氣相沉積的方法,通過改變生長源的比例或者生長溫度,得到了成分可調(diào)、高質(zhì)量的單晶(Sb1-xBix)2Se3納米線,其可作為一種具有良好光電響應(yīng)性能的新光電探測材料廣泛應(yīng)用。
聲明:
“成分可調(diào)的三元(Sb1-xBix)2Se3納米線的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)