2O4@Ni-Co-S納米片陣列核殼結(jié)構(gòu)材料的制備方法,化學(xué)分析"> 2O4@Ni-Co-S納米片陣列核殼結(jié)構(gòu)材料的制備方法,本發(fā)明公開(kāi)了一種NiCo2O4@Ni?Co?S納米片陣列核殼結(jié)構(gòu)材料的制備方法,用于解決現(xiàn)有方法制備的NiCo2O4基復(fù)合材料性能差的技術(shù)問(wèn)題。技術(shù)方案是將在集流體泡沫鎳上長(zhǎng)有NiCo2O4納米片陣列的基底置于Ni(NO3)2·6H2O、Co(NO3)2·6H2O和硫脲混合溶液中,在三電極體系下進(jìn)行電化學(xué)沉積反應(yīng),在泡沫鎳上生成核殼結(jié)構(gòu)NiCo2O4@Ni?Co?S納米片陣列。經(jīng)電化學(xué)性能測(cè)試,本發(fā)明制備的復(fù)合電極材料在電流密度為1A?g?1時(shí)質(zhì)量比電容高">
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