本發(fā)明公開了一種以石墨為基底且具有手性選擇性取向的單壁
碳納米管陣列及對(duì)其手性結(jié)構(gòu)表征的方法。其制備方法如下:1)制備表面具有規(guī)則刻痕的石墨基底;2)將具有生長(zhǎng)單壁碳納米管催化劑的基底與石墨基底一并緊鄰置于化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)中,利用氣流定向法在石墨基底上生長(zhǎng)單壁碳納米管,得到具有手性選擇性取向的單壁碳納米管陣列。利用石墨基底表面單壁碳納米管的手性選擇性取向結(jié)論,結(jié)合石墨表面的規(guī)則性刻痕,可對(duì)單壁碳納米管的手性角及旋光性進(jìn)行測(cè)量,進(jìn)一步對(duì)已知手性結(jié)構(gòu)的單壁碳納米管進(jìn)行性能測(cè)試和/或器件加工。本發(fā)明提供的測(cè)量方法,首次同時(shí)對(duì)碳納米管的手性角和旋光性進(jìn)行了測(cè)量;可以對(duì)樣品表面的碳納米管進(jìn)行批量宏觀測(cè)量。
聲明:
“具有手性選擇性取向的單壁碳納米管陣列及對(duì)其手性結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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