本發(fā)明公開了一種電場傳感器探頭的制作工藝,其技術(shù)方案要點是,具體包括以下步驟:S1、切片:切片時選擇電場方向平行于鈮酸鋰晶體z軸方向的X切Z傳鈮酸鋰晶體制備為襯底切片;S2、蒸發(fā):在所述S1中的襯底切片上采用化學氣相沉積技術(shù)制備緩沖層鈦作為掩模;S3、光導(dǎo)波刻;S4、PECVD:進行鈦擴散,將鈮酸鋰晶體放在濕氧的環(huán)境中進行鈦擴散以抑制LiO2外擴發(fā)生,抑制LiNb3O8晶相生成,降低晶體光折變的敏感性;S5、光刻電極;S6、電鍍;S7、磨切;本電場傳感器探頭的制作工藝具有生產(chǎn)流程短,生產(chǎn)出的電場傳感器探頭具有可測動態(tài)范圍大、響應(yīng)速度快、頻率范圍寬、對電場畸變小、測量精度高、與一次設(shè)備無電氣連接、全絕緣等特點。
聲明:
“電場傳感器探頭的制作工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)