一種用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的硅薄膜異質(zhì)結(jié)太陽 電池的制備方法,襯底清洗:采用半導(dǎo)體清洗工藝進行襯底的 表面初清洗,再將襯底放在去離子水中用超聲波清洗,用去離 子水沖洗數(shù)次,氮氣吹干;制備本征非晶硅層:用熱絲化學(xué)汽 相沉積技術(shù)制備本征非晶硅層,鎢絲溫度用光學(xué)高溫計測量, 加熱器與樣品的溫度分別由兩個熱電偶測定,用電子溫度控制 器控制溫度,在襯底表面反應(yīng)生長而成薄膜;在本征非晶硅薄 膜上再沉積一層發(fā)射層;正、背面電極的形成:用濺射工藝在 電池的正、背面形成電極;最后進行真空熱退火工藝。本發(fā)明 薄膜具有光照穩(wěn)定性,在AM1.5, 100mW/cm2標(biāo)準(zhǔn)光強下,獲得的 硅薄膜的光電導(dǎo)增益可達(dá)106, 基于此薄膜的非晶硅和晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的效率達(dá)12.5%。
聲明:
“硅薄膜異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)