本發(fā)明涉及一種銻化銦單晶片的拋光方法,屬于光電材料技術(shù)領(lǐng)域。所述方法對(duì)銻化銦單晶片拋光過(guò)程中精拋溶液的配方進(jìn)行設(shè)計(jì),利用精拋溶液的化學(xué)作用,配合精密拋光機(jī)中拋光盤的機(jī)械作用,通過(guò)嚴(yán)格控制轉(zhuǎn)速、壓力以及精拋溶液的滴速,進(jìn)行銻化銦單晶片的超精密平整化加工,實(shí)現(xiàn)拋光后的銻化銦單晶片的完美晶格,能夠有效避免現(xiàn)有技術(shù)中拋光加工所造成的二次缺陷,彌補(bǔ)了銻化銦單晶片精密加工領(lǐng)域的空白。采用本發(fā)明所述拋光方法加工的銻化銦單晶片,由于晶格完美,因此利用其制備的紅外探測(cè)器的成品率有長(zhǎng)足的進(jìn)步,且大大拓寬了銻化銦單晶片在紅外探測(cè)器上的應(yīng)用。
聲明:
“銻化銦單晶片的拋光方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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