本發(fā)明公開了多
芯片組件同質(zhì)鍵合系統(tǒng)質(zhì)量一致性改進(jìn)方法,該方法在原有工藝的厚膜電阻修調(diào)并測(cè)試完畢后,增加金厚膜鍵合區(qū)表面局部化學(xué)機(jī)械拋光工藝,具體是:選擇貴金屬拋光液,通過局部拋光機(jī)對(duì)每個(gè)鍵合區(qū)進(jìn)行拋光,使其表面平整度≤0.1μm;然后用機(jī)械掩模方法,在高真空濺射臺(tái)或蒸發(fā)臺(tái)中,在鍵合區(qū)表面形成一層鋁薄膜、或鎳-鉻-鋁或鉻-銅-鋁復(fù)合薄膜;最后,按常規(guī)混合集成電路集成工藝,將半導(dǎo)體芯片和片式元器件集成在成膜基片上,半導(dǎo)體芯片的鍵合采用硅-鋁絲鍵合,管腳與基片之間采用金絲鍵合,實(shí)現(xiàn)質(zhì)量一致性好、可靠性高的金-金、鋁-鋁同質(zhì)鍵合。此類器件應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,特別適用于大功率、高可靠、宇航級(jí)等領(lǐng)域。
聲明:
“多芯片組件同質(zhì)鍵合系統(tǒng)質(zhì)量一致性改進(jìn)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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