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生長可控的稀土釹摻雜二硒化鉬薄膜材料制備方法

871 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:56:52

本發(fā)明涉及一種釹摻雜二維層狀二硒化鉬薄膜材料的制備方法，包括以下步驟：首先通過高純原料鉬、硒、釹的化學氣相輸運反應，制得釹摻雜二硒化鉬的多晶體；接著通過壓制及燒結，制得釹摻雜二硒化鉬的陶瓷靶；將陶瓷靶和清洗過的襯底置入真空腔，通過脈沖激光轟擊所制備的陶瓷靶，控制頻率、時間、功率等因素，獲得不同層數(shù)、形貌均勻、面積連續(xù)的超薄釹摻雜二硒化鉬薄膜光電材料。所制備的材料在近紅外區(qū)域具有發(fā)射光譜，可被用于構筑原子級超薄的光電子器件，如電致發(fā)光器件、平板波導、探測器等。

聲明：

“生長可控的稀土釹摻雜二硒化鉬薄膜材料制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)