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低功耗相變存儲器的制備方法

1128   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:56:55
本發(fā)明涉及利用FIB沉積納米錐形底電極從而制備硫系化合物存儲單元器件的方法,其 包括以下步驟:首先,在(100)取向的硅片上面,應(yīng)用化學(xué)氣相沉積的方法制備一層SixN介 質(zhì)層;然后使用磁控濺射的方法沉積Al/Ti/TiN作為底層電極材料;于底層電極材料上利用 離子束法沉積氧化硅作為介質(zhì)層;利用電子束曝光結(jié)合反應(yīng)離子刻蝕的方法制備若干氧化硅 孔;于氧化硅孔內(nèi)利用聚焦離子束系統(tǒng)制備所需要的錐形底電極;利用光刻剝離的方法于底 電極上沉積相變材料層;之后利用聚焦離子束引出上層測試電極;最后離子束沉積法濺射氧 化硅作為絕熱保護(hù)層。本發(fā)明有助于制備新型的低功耗相變存儲器,為研究20nm以下尺寸相 變存儲器的性能提供有效的方法,促進(jìn)相變存儲器的發(fā)展。
聲明:
“低功耗相變存儲器的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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