本發(fā)明提供了一種氧摻雜單層過渡金屬硫族化合物的制備方法,包括以下步驟:A)將鐵氧化物、金屬前驅(qū)體鎢氧化物和氯化鈉混合均勻,得到反應(yīng)前驅(qū)體;B)將步驟A)得到的反應(yīng)前驅(qū)體在高溫下與硫粉進行反應(yīng),得到氧摻雜單層過渡金屬硫族化合物。本發(fā)明利用鐵氧化物輔助化學(xué)氣相沉積法,獲得了高質(zhì)量單層的氧摻雜二硫化鎢單晶,在光電探測器、光電傳感器等方面有著巨大的應(yīng)用前景。相對于現(xiàn)有的過渡金屬硫族化合物摻雜方法而言,此方法實現(xiàn)了原位摻雜氧元素,且工藝簡單,易于規(guī)?;a(chǎn)。
聲明:
“氧摻雜單層過渡金屬硫族化合物及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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