本發(fā)明公開了一種增加光刻膠在超晶格紅外焦平面
芯片上附著性的方法。本發(fā)明是在超晶格紅外焦平面芯片上通過等離子體處理芯片表面,從而增加光刻膠在芯片表面的粘附性,尤其針對較小光刻圖形制備時。在超晶格紅外焦平面芯片光刻前,首先采用氧等離子體與芯片上殘余的有機污染物發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成氣態(tài)的CO、C02和H20,從而達到去除芯片表面殘余有機污染物的目的,其次采用氬等離子體輕微轟擊芯片表面,增加芯片表面粗糙度。氧等離子體和氬等離子體先后作用在超晶格紅外焦平面芯片上,增加了后續(xù)光刻膠在超晶格紅外焦平面芯片上附著性,提高了圖形完整性,降低了超晶格紅外焦平面探測器盲元率。
聲明:
“增加光刻膠在超晶格紅外焦平面芯片上附著性的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)