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控制層間介電層膜厚的方法

1032   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-19 08:56:57
本發(fā)明揭示一種控制層間介電層膜厚的方法,其包括如下步驟:在半導體硅片上形成一層二氧化硅介電層,然后在二氧化硅介電層上形成一層拋光停止層,其中拋光停止層的材料為磷硅玻璃(PSG)或硼磷硅玻璃(BPSG),再在拋光停止層上形成一層二氧化硅介電層,然后通過化學機械拋光制程對介電層進行研磨,本發(fā)明通過在介電層中間形成一層磷硅玻璃或硼磷硅玻璃的拋光停止層,由于該拋光停止層的硬度與介電層不同,采用終點電流信號偵測的方式拋光至該停止層時能自動停止,拋光后的介電層的膜厚能夠得到準確的控制。
聲明:
“控制層間介電層膜厚的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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