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用于氮化物半導體材料除氫激活的裝置及氮化物半導體材料除氫激活的方法

1123 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:56:59

本發(fā)明涉及氮化物半導體材料p型電導技術領域，特別涉及一種用于氮化物半導體材料除氫激活的裝置及氮化物半導體材料除氫激活的方法。本發(fā)明采用恒電位電化學裝置，通過打斷p型雜質與H原子的鍵連，并將H從樣品中移除，激活p型雜質的受主活性，在外加電壓和電解液離子的共同作用下，H原子與p型雜質的鍵連可被有效打斷并脫離樣品，從而使p型雜質被迅速激活，空穴濃度獲得提高，可極大地改善p型材料的導電特性。此方法裝置簡單、操作簡便、常溫工作，可制備具有良好導電特性的p型氮化物半導體材料，且可對完整器件結構晶圓片做后期處理，在可見光、紫外、深紫外LED、LD、探測器等光電子領域中有著廣泛的應用前景和開發(fā)潛力。

聲明：

“用于氮化物半導體材料除氫激活的裝置及氮化物半導體材料除氫激活的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)