本發(fā)明屬于精密合金領(lǐng)域，特別涉及一種用于光纖環(huán)圈骨架的低膨脹磁屏蔽合金及其制備方法。該合金的化學(xué)成分按重量％為：Ni32.0～35.2，Co3.0～3.5，Mn0.10～0.25，Si≤0.15，Cu≤0.02，C≤0.01，P≤0.01，S≤0.01，余量為Fe；該低膨脹磁屏蔽合金通過(guò)如下步驟制備：高純度原料準(zhǔn)備→成分配比→真空感應(yīng)爐冶煉和真空自耗重熔→鍛造加工→取樣→熱處理→性能測(cè)試。熱處理制度為：高純氫氣保護(hù)，隨爐升溫至970±10℃，保溫2.5～3h，以200～250℃/h降溫至550±10℃，快冷至300℃以下出爐。本發(fā)明與現(xiàn)有的低膨脹合金4J32相比，在保持低膨脹特性的前提下，具有較高的初始磁導(dǎo)率，使合金兼具低膨脹性能和磁屏蔽性能兩大優(yōu)點(diǎn)。即：在-45～+75℃溫度范圍內(nèi)，合金的膨脹系數(shù)在1.0×10-6/℃以下；初始磁導(dǎo)率高于1.5mH/m。