本發(fā)明屬于發(fā)光材料領(lǐng)域,具體涉及一種離子型大位阻銻化物發(fā)光材料及其制備方法和應(yīng)用。其化學(xué)式為C66H60X3SbCl6(其中X=Sb,As,P,優(yōu)選Sb)。本發(fā)明的發(fā)光材料在250?450nm有很寬的激發(fā)帶,最佳激發(fā)峰位于365nm處,可以很好的與商用紫外
芯片相匹配,發(fā)射出發(fā)射峰位于619nm的明亮橙黃色發(fā)光。該材料制備方法簡單易行、對環(huán)境友好,克服了傳統(tǒng)鉛基
鈣鈦礦材料的毒性和不穩(wěn)定性;而且此離子型大位阻銻化物發(fā)光材料的成本低,反應(yīng)條件溫和,生產(chǎn)周期短,熒光量子產(chǎn)率高,在白光照明和高能射線探測及成像領(lǐng)域具有非常好的發(fā)展前景。
聲明:
“離子型大位阻銻化物發(fā)光材料的制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)