本發(fā)明公開了一種在圖形化的半導(dǎo)體襯底上制作有序半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的方法,包括:步驟1:選擇半導(dǎo)體襯底,通過光刻方法在襯底上制作出條形或圓孔圖形;步驟2:配置含有膠體金的溶液;步驟3:將制作出條形或圓孔圖形的襯底浸入配置的含有膠體金的溶液中,并將襯底從溶液中提拉出來;步驟4:將襯底在打膠機(jī)中打膠并用化學(xué)試劑清洗;步驟5:將襯底放入生長設(shè)備的腔室中并生長單層或多層納米結(jié)構(gòu)。利用本發(fā)明,制備出了尺寸均勻、排列有序的量子線陣列,該量子線陣列可用于制作發(fā)光器件和電子器件的有源層,制備性能優(yōu)異的半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、具有非常低的能量消耗的光發(fā)射器件、以及各種類型的感應(yīng)器、探測器等。
聲明:
“在圖形化的半導(dǎo)體襯底上制作有序半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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